对比图
型号 FDH44N50 IXFH17N80Q FQA65N20
描述 ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDH44N50, 44 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3Pin(3+Tab) TO-247ADQFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) IXYS Semiconductor Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-3-3
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.11 Ω 600 mΩ 32 mΩ
耗散功率 750 W 400 W 310 W
阈值电压 3.15 V - 5 V
漏源极电压(Vds) 500 V 800 V 200 V
上升时间 84 ns 27 ns 640 ns
输入电容(Ciss) 5335pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds) 7900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 750 W - 310 W
下降时间 79 ns 16 ns 275 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 750 W 400W (Tc) 310 W
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 800 V 200 V
额定电压(DC) - - 200 V
额定电流 - - 65.0 A
极性 - - N-Channel
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) - - 65.0 A
工作结温(Max) - - 150 ℃
长度 15.87 mm 16.26 mm 15.8 mm
宽度 4.82 mm 5.3 mm 5 mm
高度 20.82 mm 21.46 mm 18.9 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99