对比图
型号 IRLR2905ZPBF STD25NF10LT4 STD35NF06LT4
描述 Trans MOSFET N-CH 55V 60A 3Pin(2+Tab) DPAK TubeN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STD35NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 60 V, 14 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 55.0 V 100 V 60.0 V
额定电流 60.0 A 25.0 A 35.0 A
漏源极电阻 13.5 mΩ 0.03 Ω 0.014 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 110 W 100 W 80 W
产品系列 IRLR2905Z - -
阈值电压 3 V 2.5 V 1 V
输入电容 1.57 nF - 1700 pF
栅电荷 35.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 55 V 100 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 60.0 A 25.0 A 17.5 A
上升时间 130 ns 40 ns 100 ns
输入电容(Ciss) 1570pF @25V(Vds) 1710pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 110 W 100 W 80 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
工作结温(Max) 175 ℃ - -
漏源击穿电压 - 100 V 60.0 V
栅源击穿电压 - ±16.0 V ±16.0 V
下降时间 - 20 ns 20 ns
耗散功率(Max) - 100W (Tc) 80W (Tc)
针脚数 - - 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.6 mm 6.6 mm
宽度 - 6.2 mm 6.2 mm
高度 - 2.4 mm 2.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99