PBSS8110D和PBSS8110D,115

对比图

型号 PBSS8110D PBSS8110D,115 PBSS8110S

描述 100 V ，1 A NPN低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorTSOP NPN 100V 1A100 V ，1 A NPN低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 - 6 -

封装 TSOP TSOP-6 SPT

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 300 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) - 150 @250mA, 10V -

额定功率(Max) - 700 mW -

直流电流增益(hFE) - 150 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 65 ℃ -

耗散功率(Max) - 700 mW -

封装 TSOP TSOP-6 SPT

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -