对比图
型号 BUK9213-30A STD86N3LH5 STD3NK60ZT4
描述 的TrenchMOS逻辑电平FET TrenchMOS logic level FETN沟道30 V ， 0.0045欧姆， 80 A， DPAK的STripFET V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0045 Ohm , 80 A, DPAK STripFET V Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STD3NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 2.40 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.0045 Ω 3.3 Ω
极性 N-CH - N-Channel
耗散功率 - 70 W 45 W
阈值电压 - 1.8 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 600 V
漏源击穿电压 - - 600 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 75A - 2.40 A
上升时间 - 14 ns 14 ns
输入电容(Ciss) 2852pF @25V(Vds) 1850pF @25V(Vds) 311pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 150 W 70 W 45 W
下降时间 - 10.8 ns 14 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 70W (Tc) 45W (Tc)
输入电容 - 1850 pF -
长度 - 6.6 mm 6.6 mm
宽度 - 6.2 mm 6.2 mm
高度 - 2.4 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99