STP8NC60FP和STP9NK60ZFP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STP8NC60FP STP9NK60ZFP STP9NK60ZFDFP

描述 N沟道600V - 0.85ohm - 7A TO- 220 / TO- 220FP PowerMesh⑩II MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.85ohm - 7A TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP9NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 950 mohm, 10 V, 3.75 VN沟道600V - 0.85欧姆-7A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK快速二极管超网MOSFET N-CHANNEL 600V-0.85 Ohm-7A TO-220/TO-220FP/D2PAK Fast Diode SuperMESH MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

引脚数 - 3 -

极性 N-CH N-Channel -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V -

连续漏极电流(Ids) 7A 7.00 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.95 Ω -

耗散功率 - 30 W -

阈值电压 - 3.75 V -

上升时间 - 17 ns -

输入电容(Ciss) - 1110pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 30 W -

下降时间 - 15 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 30W (Tc) -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 16.4 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司