ZTX869和ZTX869STOA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZTX869 ZTX869STOA ZTX869STZ

描述 DIODES INC.  ZTX869  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 100 MHz, 1.2 W, 5 A, 450 hFE双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Big Chip SELineNPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

频率 100 MHz - -

额定电压(DC) 25.0 V - 25.0 V

额定电流 5.00 A - 5.00 A

极性 NPN - NPN

耗散功率 1.2 W 1.2 W 1.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 25 V - 25 V

集电极最大允许电流 5A - 5A

最小电流放大倍数(hFE) 300 @1A, 1V - 300 @1A, 1V

最大电流放大倍数(hFE) 300 @10mA, 1V 300 @10mA, 1V 300 @10mA, 1V

额定功率(Max) 1.2 W - 1.2 W

直流电流增益(hFE) 450 - -

工作温度(Max) 200 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 1200 mW - 1200 mW

增益频宽积 - - 100 MHz

长度 4.77 mm 4.77 mm 4.77 mm

宽度 2.41 mm 2.41 mm 2.41 mm

高度 4.01 mm 4.01 mm 4.01 mm

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ - -55℃ ~ 200℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Bulk - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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