对比图
型号 IRF640NPBF STP19NF20 IRF730PBF
描述 INTERNATIONAL RECTIFIER IRF640NPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 18A, TO-220AB 新N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsVISHAY IRF730PBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 400 V, 1 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
漏源极电阻 0.15 Ω 0.15 Ω 1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 150 W 90 W 74 W
阈值电压 4 V 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 400 V
连续漏极电流(Ids) 18.0 A 7.50 A 5.50 A
上升时间 19.0 ns 22 ns 15 ns
正向电压(Max) - 1.6 V -
输入电容(Ciss) 1160pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds) 700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 150 W 90 W -
下降时间 - 11 ns 14 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 90000 mW 74 W
额定电压(DC) 200 V - 400 V
额定电流 18.0 A - 5.50 A
额定功率 - - 74 W
针脚数 3 - 3
输入电容 1160pF @25V - 700pF @25V
漏源击穿电压 200 V - 400 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
通道数 1 - -
产品系列 IRF640N - -
热阻 1℃/W (RθJC) - -
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.41 mm
宽度 4.4 mm 4.6 mm 4.7 mm
高度 9.02 mm 9.15 mm 9.01 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active -
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -