MJ11016G和NTE2349

对比图

型号 MJ11016G NTE2349 MJ11016

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJ11016G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, 1000 hFENTE ELECTRONICS  NTE2349  达林顿晶体管, NPN, 120V, TO-3大电流互补硅晶体管 High-Current Complementary Silicon Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NTE Electronics ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 3

封装 TO-204-2 TO-3 TO-3

额定电压(DC) 120 V 120 V 120 V

额定电流 30.0 A 50.0 A 30.0 A

极性 NPN NPN N-Channel

耗散功率 200 W 300 W 200000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 120 V 120V (min) 120 V

集电极最大允许电流 30A 50A 30A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @20A, 5V - 1000 @20A, 5V

额定功率(Max) 200 W - 200 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 4MHz (Min) - 4MHz (Min)

耗散功率(Max) 200000 mW 300000 mW 200000 mW

输出电压 120 V - -

输出电流 30 A - -

针脚数 2 2 -

直流电流增益(hFE) 1000 1000 -

输入电压 5 V - -

封装 TO-204-2 TO-3 TO-3

长度 39.37 mm - -

宽度 26.67 mm - -

高度 8.51 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 200℃ (TJ) - -55℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tray - Tray

最小包装 - - 100

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

HTS代码 - 85412900951 -