对比图
型号 IRFBE20PBF NTE2387
描述 VISHAY IRFBE20PBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 800 V, 6.5 ohm, 10 V, 4 VNTE ELECTRONICS NTE2387. 场效应管, MOSFET, N沟道, 800V, 4A, TO-220
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) NTE Electronics
分类 中高压MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220 TO-220
针脚数 3 3
漏源极电阻 6.5 Ω 2.7 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 54 W 125 W
阈值电压 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V
漏源击穿电压 800 V 800V (min)
连续漏极电流(Ids) 1.80 A 4.00 A
上升时间 17.0 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 530pF @25V(Vds) 1000pF @25V(Vds)
下降时间 - 40 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 54 W 125000 mW
额定电压(DC) 800 V -
额定电流 1.80 A -
栅源击穿电压 ±20.0 V -
封装 TO-220 TO-220
长度 10.41 mm -
宽度 4.7 mm -
高度 9.01 mm -
产品生命周期 - Active
包装方式 Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
ECCN代码 - EAR99
HTS代码 - 85412900951