MMBT2222LT1G和MMBT2222LT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT2222LT1G MMBT2222LT3G MMBT2222ALT1G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBT2222LT1G.  单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 250 MHz, 225 mW, 600 mA, 250 hFE通用晶体管 General Purpose TransistorsON SEMICONDUCTOR  MMBT2222ALT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 600 mA, 300 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 250 MHz - 300 MHz

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 40.0 V

额定电流 600 mA 600 mA 600 mA

额定功率 300 mW - 225 mW

针脚数 3 - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 225 mW - 225 mW

增益频宽积 250 MHz - 300 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 40 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 300 - -

额定功率(Max) 225 mW 300 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) 250 - 300

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW

长度 3.04 mm - 2.9 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 1.11 mm - 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 - - NLR

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