对比图
型号 IPD60R520C6BTMA1 IPD60R520CPBTMA1 IPD60R520CP
描述 DPAK N-CH 600V 8.1ADPAK N-CH 600V 6.8AINFINEON IPD60R520CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.8 A, 650 V, 0.47 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 3 - 3
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 - 66W (Tc) 66 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 8.1A 6.8A 6.80 A
输入电容(Ciss) 512pF @100V(Vds) 630pF @100V(Vds) 630pF @100V(Vds)
耗散功率(Max) 66000 mW 66W (Tc) 66000 mW
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.47 Ω
阈值电压 - - 3 V
上升时间 10 ns - 12 ns
下降时间 14 ns - 16 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - - 6.5 mm
宽度 - - 6.22 mm
高度 - - 2.3 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17