对比图
型号 BD435S BD435STU
描述 Trans GP BJT NPN 32V 4A 3Pin(3+Tab) TO-126 BulkTrans GP BJT NPN 32V 4A 3Pin(3+Tab) TO-126 Rail
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-126-3 TO-126-3
频率 - -
耗散功率 36000 mW 36 W
击穿电压(集电极-发射极) 32 V 32 V
最小电流放大倍数(hFE) 40 @10mA, 5V 40 @10mA, 5V
额定功率(Max) 36 W 36 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -
耗散功率(Max) 36000 mW 36000 mW
额定电压(DC) - 32.0 V
额定电流 - 4.00 A
极性 - NPN
集电极最大允许电流 - 4A
直流电流增益(hFE) - 50
封装 TO-126-3 TO-126-3
材质 Silicon -
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Bulk Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99