NTD3055-150T4G和PHD3055E,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTD3055-150T4G PHD3055E,118 NTD3055-094T4G

描述 N 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RON SEMICONDUCTOR  NTD3055-094T4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.084 ohm, 10 V, 2.9 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 4 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V

额定电流 9.00 A - 12.0 A

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.15 Ω - 0.084 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 28.8 W 33 W 48 W

阈值电压 3 V - 2.9 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V - 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 9.00 A, 9.00 mA 10.3 A 12.0 A

上升时间 37.1 ns 26 ns 32.3 ns

输入电容(Ciss) 280pF @25V(Vds) 250pF @25V(Vds) 450pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1.5 W - 1.5 W

下降时间 23 ns 10 ns 23.9 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.5 W 33W (Tc) 1.5 W

通道数 - - 1

长度 6.73 mm - 6.73 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.38 mm - 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2016/06/20

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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