DDA114TH-7和EMB4T2R

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DDA114TH-7 EMB4T2R NSBA114EDXV6T5G

描述 双极晶体管 - 预偏置 150MW 10K双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP 50V 100MASOT-563 PNP 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 -

封装 SOT-563-6 SOT-563 SOT-563

额定电压(DC) - -50.0 V -50.0 V

额定电流 - -100 mA -100 mA

额定功率 - 0.15 W -

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 100 @1mA, 5V 100 @1mA, 5V 35 @5mA, 10V

额定功率(Max) 150 mW 150 mW 500 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

增益带宽 250 MHz 250 MHz -

耗散功率(Max) 150 mW 150 mW -

耗散功率 0.15 W - -

长度 1.6 mm 1.6 mm -

宽度 1.2 mm 1.2 mm -

高度 0.6 mm 0.5 mm -

封装 SOT-563-6 SOT-563 SOT-563

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

ECCN代码 EAR99 - -

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