对比图
型号 STB16PF06LT4 STD10PF06T4 FQD7P06TF
描述 P沟道60V - 0.11ohm - 16A D2PAK的STripFET MOSFET P-CHANNEL 60V - 0.11ohm - 16A D2PAK STripFET MOSFETSTMICROELECTRONICS STD10PF06T4 晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -4 VTrans MOSFET P-CH 60V 5.4A Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V
额定电流 -16.0 A -10.0 A -5.40 A
通道数 1 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 165 mΩ 0.18 Ω 450 mΩ
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 70 W 40 W 2.5 W
阈值电压 - 4 V -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V 60 V -
栅源击穿电压 ±16.0 V ±20.0 V ±25.0 V
连续漏极电流(Ids) 16.0 A 10.0 A 5.40 A
上升时间 90 ns 40 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 630pF @25V(Vds) 850pF @25V(Vds) 295pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 70 W 40 W -
下降时间 19.5 ns 10 ns 25 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ 65 ℃ -
耗散功率(Max) 70W (Tc) 40W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc)
长度 10.4 mm 6.6 mm -
宽度 9.35 mm 6.2 mm -
高度 4.6 mm 2.4 mm -
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99