AUIRF7316Q和IRF7316TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRF7316Q IRF7316TR FDS4953

描述 INFINEON  AUIRF7316Q  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.9 A, -30 V, 0.042 ohm, -10 V, -1 VSOIC P-CH 30V 4.9AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4953  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -5 A, -30 V, 55 mohm, -10 V, -1.7 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - - -30.0 V

额定电流 - - -5.00 A

通道数 - - 2

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.042 Ω - 55 mΩ

极性 P-CH P-CH P-Channel, Dual P-Channel

耗散功率 2 W - 2 W

输入电容 - - 528 pF

栅电荷 - - 6.00 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - - 30 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 4.9A 4.9A -5.00 A

上升时间 13 ns - 13 ns

输入电容(Ciss) 710pF @25V(Vds) 710pF @25V(Vds) 528pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 900 mW

下降时间 32 ns - 9 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW - 2 W

长度 4.9 mm - 5 mm

宽度 3.9 mm - 4 mm

高度 1.75 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

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