CY7C1370C-167BGI和CY7C1370D-200BGXC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1370C-167BGI CY7C1370D-200BGXC CY7C1370D-167BGXC

描述 512K ×36 / 1M ×18的SRAM流水线与NOBL架构 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM with NoBL Architecture18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线式SRAM与NoBL⑩架构 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线式SRAM与NoBL⑩架构 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM with NoBL? Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 119 119 -

封装 BGA BGA-119 BGA

长度 22 mm - -

宽度 14 mm - -

封装 BGA BGA-119 BGA

高度 - 1.46 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Tray -

存取时间 - 3 ns -

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

电源电压 - 3.135V ~ 3.6V -

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) -

RoHS标准 - RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free -

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