对比图
型号 MPSW51AG MPSW51ARLRAG NTE129P
描述 ON SEMICONDUCTOR MPSW51AG 射频双极晶体管TO-92 PNP 40V 1ANTE ELECTRONICS NTE129P 双极性晶体管, PNP, -80V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NTE Electronics
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-237
针脚数 3 - 3
极性 PNP, P-Channel PNP PNP, P-Channel
耗散功率 1 W 1 W 850 mW
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 80.0V (min)
集电极最大允许电流 1A 1A 1A
直流电流增益(hFE) 50 - 300
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
频率 50 MHz 50 MHz -
额定电压(DC) -40.0 V -40.0 V -
额定电流 -1.00 A -1.00 A -
热阻 50℃/W (RθJC) - -
最小电流放大倍数(hFE) 60 @100mA, 1V 60 @100mA, 1V -
额定功率(Max) 1 W 1 W -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW -
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-237
长度 5.21 mm - -
高度 7.87 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Box Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
HTS代码 - - 85412900951