S34ML04G100BHI000和S34ML04G100TFI000

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 S34ML04G100BHI000 S34ML04G100TFI000 S34ML04G100BHI003

描述 S34ML04G1 系列 4 Gb (512M x 8) 3 V 表面贴装 嵌入式 NAND 闪存 - BGA-63S34ML04G1 系列 4 Gb (512M x 8) 3 V 表面贴装 嵌入式 NAND 闪存 - TSOP-48SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 4G-bit 512M x 8 20ns 63Pin BGA T/R

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 Flash芯片Flash芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 63 48 63

封装 BGA-63 TSOP-48 BGA

安装方式 Surface Mount - -

供电电流 30 mA 30 mA -

针脚数 63 48 -

位数 - 8 8

存取时间 25 ns 20 ns -

内存容量 - 512000000 B -

存取时间(Max) 20 ns 20 ns 20 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3.3 V 3.3 V -

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V -

电源电压(Min) 2.7 V 2.7 V -

电源电压(DC) 2.70V (min) - -

封装 BGA-63 TSOP-48 BGA

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - 3A991.b.1.a -

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