对比图
型号 STF13NM60N-H STFI13NM60N STF13NM60N
描述 TO-220FP N-CH 600V 11A600V,11A,N沟道MOSFETN 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-220-3
极性 N-CH - N-Channel
耗散功率 25W (Tc) 25 W 25 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 11A - 5.50 A
上升时间 8 ns 8 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 790pF @50V(Vds) 790pF @50V(Vds) 790pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 25 W - 25 W
下降时间 10 ns 10 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 25W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 360 mΩ
输入电容 - - 790 pF
漏源击穿电压 - - 600 V
封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-220-3
长度 - - 10.4 mm
宽度 - - 4.6 mm
高度 - - 16.4 mm
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
香港进出口证 - - NLR