对比图
描述 30V,3.9A,N沟道功率MOSFETSTMICROELECTRONICS STN4NF03L 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 30 V, 0.039 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 4
封装 TO-261-4 TO-261-4
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V
额定电流 3.90 A 6.50 A
额定功率 - 3.3 W
针脚数 - 4
漏源极电阻 - 0.039 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 2.1 W 3.3 W
阈值电压 - 1 V
输入电容 - 330 pF
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 - ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) 3.90 A 6.50 A
上升时间 24.0 ns 100 ns
输入电容(Ciss) 530pF @25V(Vds) 330pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1 W 3.3 W
下降时间 - 22 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 3300 mW
产品系列 IRLL2703 -
长度 - 6.5 mm
宽度 - 3.5 mm
高度 - 1.8 mm
封装 TO-261-4 TO-261-4
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99