对比图
型号 IGB15N60T IHW20T120 IXDR30N120D1
描述 INFINEON IGB15N60T 单晶体管, IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263, 3 引脚IGBT的沟槽场终止和技术，柔软，快速恢复反并联EMCON何二极管 IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diodeIXYS SEMICONDUCTOR IXDR30N120D1 单晶体管, IGBT, 隔离, 50 A, 2.4 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-247
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 1200 V 1200 V
反向恢复时间 - 140 ns 40 ns
额定功率(Max) 130 W 178 W 200 W
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -55 ℃
针脚数 3 - 3
极性 - - N-Channel
耗散功率 130 W - 200 W
上升时间 - - 70 ns
下降时间 - - 70 ns
耗散功率(Max) - - 200000 mW
额定功率 130 W - -
长度 10.31 mm 15.9 mm 16.13 mm
宽度 9.45 mm 5.3 mm 5.21 mm
高度 4.57 mm 20.95 mm 21.34 mm
封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-247
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
工作温度 -40℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 150℃