IHW20T120

IHW20T120图片1
IHW20T120图片2
IHW20T120图片3
IHW20T120图片4
IHW20T120图片5
IHW20T120图片6
IHW20T120图片7
IHW20T120中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 140 ns

额定功率Max 178 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.9 mm

宽度 5.3 mm

高度 20.95 mm

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IHW20T120
型号: IHW20T120
制造商: Infineon 英飞凌
描述:IGBT的沟槽场终止和技术,柔软,快速恢复反并联EMCON何二极管 IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
替代型号IHW20T120
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IHW20T120

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IGW40T120

英飞凌

类似代替

IHW20T120和IGW40T120的区别

IGB15N60T

英飞凌

功能相似

IHW20T120和IGB15N60T的区别

IGB20N60H3

英飞凌

功能相似

IHW20T120和IGB20N60H3的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台