对比图
型号 HGTD3N60C3S9A SGD02N60 STGD3NB60SDT4
描述 6A ， 600V ， UFS系列N沟道IGBT的 6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs在NPT技术降低75 ％的Eoff快速IGBT相比上一代 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generationSTGD3NB60H 系列 600 V 3 A N 沟道 Power Mesh IGBT - D2PAK
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 6.00 A - 3.00 A
耗散功率 33000 mW - 48000 mW
上升时间 - - 150 µs
击穿电压(集电极-发射极) 600 V - 600 V
反向恢复时间 - - 1.7 µs
额定功率(Max) 33 W - 48 W
工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 33000 mW - 48000 mW
宽度 - 6.22 mm 6.2 mm
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
长度 - 6.5 mm -
高度 2.3 mm 2.3 mm -
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - EAR99