对比图
型号 AUIRF7665S2TR IRF6711STRPBF IRF7665S2TRPBF
描述 INFINEON AUIRF7665S2TR 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 14.4 A, 100 V, 0.051 ohm, 10 V, 4 V 新Direct-FET N-CH 25V 19AINFINEON IRF7665S2TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 14.4 A, 100 V, 51 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 Direct-FET Direct-FET Direct-FET
额定功率 30 W - 30 W
针脚数 6 - 3
漏源极电阻 0.051 Ω - 0.051 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 30 W 2.2 W 30 W
阈值电压 4 V - 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V 25 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 4.1A 19A 14.4A
上升时间 6.4 ns 13 ns 6.4 ns
输入电容(Ciss) 515pF @25V(Vds) 1810pF @13V(Vds) 515pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 2.4 W
下降时间 3.6 ns 5.4 ns 3.6 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.4W (Ta), 30W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.4W (Ta), 30W (Tc)
通道数 1 - -
长度 - - 4.85 mm
宽度 3.95 mm - 3.95 mm
高度 - - 0.7 mm
封装 Direct-FET Direct-FET Direct-FET
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17