MBT3904DW1T3G和SMBT3904S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MBT3904DW1T3G SMBT3904S MBT3904DW2T1G

描述 NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管SMBT3904S 双NPN 60V 0.2A 300MHZ HEF=30~300 SOT363 代码 1A双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-363 SOT-363 SC-70-6

引脚数 6 - -

额定电压(DC) 40.0 V - 40.0 V

额定电流 200 mA - 200 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 150 mW - 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.2A 0.2A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V - 100 @10mA, 1V

额定功率(Max) 150 mW - 150 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

频率 300 MHz - -

针脚数 6 - -

直流电流增益(hFE) 100 - -

耗散功率(Max) 150 mW - -

长度 2.2 mm - 2 mm

宽度 1.35 mm - 1.25 mm

高度 1 mm - 0.9 mm

封装 SOT-363 SOT-363 SC-70-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active End of Life Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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