对比图
型号 FDC365P IRLMS6802TRPBF FDC5612
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC365P 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -35 V, 0.045 ohm, -10 V, -1.8 VP沟道,-20V,-5.6A,50mΩ@-4.5VPowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 TSOT-23-6 TSOP-6 TSOT-23-6
针脚数 6 - 6
漏源极电阻 0.045 Ω - 0.055 Ω
耗散功率 1.6 W 2 W 1.6 W
阈值电压 - - 2.2 V
漏源极电压(Vds) 35 V 20 V 60 V
上升时间 3 ns 33.0 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 705pF @20V(Vds) 1079pF @10V(Vds) 650pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 800 mW 2 W 800 mW
下降时间 3 ns - 6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 1.6W (Ta) - 1.6 W
极性 P-Channel P-Channel -
连续漏极电流(Ids) 4.3A -5.60 A -
额定电压(DC) - -20.0 V -
额定电流 - -5.60 A -
产品系列 - IRLMS6802 -
漏源击穿电压 - -20.0 V -
长度 3 mm - 3 mm
宽度 1.7 mm - 1.7 mm
高度 1 mm - 1 mm
封装 TSOT-23-6 TSOP-6 TSOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -