70T3519S133BF和70T651S10BFG8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70T3519S133BF 70T651S10BFG8 70T651S12DRI

描述 静态随机存取存储器 256Kx36 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAMSRAM 256K x 36 Async 3.3V 2.5V Dual-Port RAM静态随机存取存储器 256K X 36 ASYNC DP RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 208 208 208

封装 CABGA-208 CABGA-208 PQFP-208

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

长度 15 mm 15 mm 28 mm

宽度 15 mm 15 mm 28 mm

高度 1.4 mm 1.4 mm 3.5 mm

封装 CABGA-208 CABGA-208 PQFP-208

厚度 1.40 mm 1.40 mm 3.50 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

存取时间 4.2 ns - 12 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - -40 ℃

电源电压 2.4V ~ 2.6V - 2.4V ~ 2.6V

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃ (TA)

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