BD678AG和TIP32CG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD678AG TIP32CG 2N6035G

描述 ON SEMICONDUCTOR  BD678AG.  双极性晶体管ON SEMICONDUCTOR  TIP32CG  单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 40 W, 3 A, 10 hFEON SEMICONDUCTOR  2N6035G  双极性晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-220-3 TO-126-3

频率 - 3 MHz -

额定电压(DC) -60.0 V -100 V -60.0 V

额定电流 4.00 A -3.00 A 4.00 A

针脚数 3 3 3

极性 PNP, P-Channel PNP, P-Channel PNP, P-Channel

耗散功率 40 W 40 W 40 W

增益频宽积 - 3 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 100 V 60 V

热阻 - 3.125℃/W (RθJC) -

集电极最大允许电流 4A 3A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 750 10 @3A, 4V 750 @2A, 3V

额定功率(Max) 40 W 2 W 40 W

直流电流增益(hFE) 750 10 15

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 40000 mW 2000 mW 40000 mW

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

最大电流放大倍数(hFE) - - 15000

长度 7.74 mm 10.28 mm -

宽度 2.66 mm 4.83 mm -

高度 11.04 mm 9.28 mm -

封装 TO-126-3 TO-220-3 TO-126-3

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

HTS代码 - 8541290095 -

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