IRF7739L2TR1PBF和IRF7739L2TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7739L2TR1PBF IRF7739L2TRPBF

描述 Direct-FET N-CH 40V 46A晶体管, MOSFET, N沟道, 375 A, 40 V, 700 µohm, 10 V, 2.8 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 15

封装 Direct-FET Direct-FET

额定功率 - 125 W

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 125 W 125 W

阈值电压 2.8 V 2.8 V

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 46A 46A

上升时间 71 ns 71 ns

输入电容(Ciss) 11880pF @25V(Vds) 11880pF @25V(Vds)

下降时间 42 ns 42 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 125W (Tc) 3.8W (Ta), 125W (Tc)

封装 Direct-FET Direct-FET

材质 Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

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