MMBT3906LT1G和MMBT3906WT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT3906LT1G MMBT3906WT1G NSCT3906LT3G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBT3906LT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -40 V, 250 MHz, 225 mW, -200 mA, 300 hFEON SEMICONDUCTOR  MMBT3906WT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 40 V, 250 MHz, 150 mW, 200 mA, 250 hFESOT-23 PNP 40V 0.2A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SC-70-3 SOT-23-3

频率 250 MHz 250 MHz -

额定电压(DC) -40.0 V -40.0 V -40.0 V

额定电流 -200 mA -200 mA -

针脚数 3 3 -

极性 PNP PNP, P-Channel PNP

耗散功率 225 mW 150 mW -

增益频宽积 - 250 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.2A 0.2A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V

额定功率(Max) 300 mW 150 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) 300 250 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 150 mW -

额定功率 300 mW - -

长度 2.9 mm 2.2 mm -

宽度 1.3 mm 1.24 mm -

高度 0.94 mm 1 mm -

封装 SOT-23-3 SC-70-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - -

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