FCA20N60和FCH20N60

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FCA20N60 FCH20N60 STW22NM60N

描述 PFC + PWM组合控制器 PFC+PWM Combination Controller600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETN 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-247-3

引脚数 - - 3

额定电压(DC) 600 V 600 V -

额定电流 20.0 A 20.0 A -

漏源极电阻 190 mΩ 190 mΩ 0.2 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 208 W 208 W 125 W

输入电容 3.08 nF 3.08 nF -

栅电荷 98.0 nC 98.0 nC -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 600 V -

连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20.0 A 16A

上升时间 140 ns 140 ns -

输入电容(Ciss) 3080pF @25V(Vds) 3080pF @25V(Vds) 1330pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 208 W 208 W 125 W

下降时间 65 ns 65 ns 38 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 208W (Tc) 208W (Tc) 125W (Tc)

阈值电压 - - 3 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

长度 16.2 mm 15.87 mm 15.75 mm

宽度 5 mm 4.82 mm 5.15 mm

高度 20.1 mm 20.82 mm 20.15 mm

封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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