对比图
型号 IRF5210L IRF5210LPBF IRF5210S
描述 TO-262P-CH 100V 40AINFINEON IRF5210LPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 40 A, -100 V, 60 mohm, -10 V, 4 VD2PAK P-CH 100V 40A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-263
额定电压(DC) - - -100 V
额定电流 - - -40.0 A
极性 P-CH P-Channel P-Channel
耗散功率 3.8W (Ta), 200W (Tc) 200 W 3.80 W
产品系列 - - IRF5210S
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 - - -100 V
连续漏极电流(Ids) 40A 38A 40.0 A
上升时间 - 63 ns 86 ns
输入电容(Ciss) 2700pF @25V(Vds) 2780pF @25V(Vds) 2700pF @25V(Vds)
下降时间 - 55 ns 81 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) 3800 mW
额定功率 - 200 W -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.06 Ω -
阈值电压 - 4 V -
额定功率(Max) - 3.1 W -
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-263
长度 - 10.54 mm -
宽度 - 4.69 mm -
高度 - 10.54 mm -
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active End of Life
包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -