对比图
型号 STP60N55F3 STU60N55F3 IRF3205PBF
描述 N沟道55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO- 220 / FP的STripFET TM功率MOSFET N-channel 55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO-220/FP STripFET TM Power MOSFETN沟道55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO- 220 / FP的STripFET TM功率MOSFET N-channel 55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO-220/FP STripFET TM Power MOSFETN沟道,55V,110A,8mΩ@10V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-220-3
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 0.0065 Ω 8 mΩ
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 110 W 110 W 200 W
阈值电压 - 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 - 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) - 32.0 A 110 A, 98.0 A
上升时间 50 ns 50 ns 101 ns
输入电容(Ciss) 2200pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 3247pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 110 W 110 W 200 W
下降时间 11.5 ns 11.5 ns 65 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) 200000 mW
额定电压(DC) - - 55.0 V
额定电流 - - 110 A
产品系列 - - IRF3205
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 - 6.6 mm 10.67 mm
宽度 - 2.4 mm -
高度 - 6.2 mm 16.51 mm
封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/12/17
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 EAR99 - -