STP60N55F3和STU60N55F3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STP60N55F3 STU60N55F3 IRF3205PBF

描述 N沟道55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO- 220 / FP的STripFET TM功率MOSFET N-channel 55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO-220/FP STripFET TM Power MOSFETN沟道55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO- 220 / FP的STripFET TM功率MOSFET N-channel 55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO-220/FP STripFET TM Power MOSFETN沟道,55V,110A,8mΩ@10V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-220-3

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 0.0065 Ω 8 mΩ

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 110 W 110 W 200 W

阈值电压 - 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 - 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) - 32.0 A 110 A, 98.0 A

上升时间 50 ns 50 ns 101 ns

输入电容(Ciss) 2200pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 3247pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 110 W 200 W

下降时间 11.5 ns 11.5 ns 65 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) 200000 mW

额定电压(DC) - - 55.0 V

额定电流 - - 110 A

产品系列 - - IRF3205

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

长度 - 6.6 mm 10.67 mm

宽度 - 2.4 mm -

高度 - 6.2 mm 16.51 mm

封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 - -

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