STU60N55F3

STU60N55F3图片1
STU60N55F3图片2
STU60N55F3图片3
STU60N55F3图片4
STU60N55F3图片5
STU60N55F3概述

N沟道55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO- 220 / FP的STripFET TM功率MOSFET N-channel 55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO-220/FP STripFET TM Power MOSFET

N-Channel 55V 80A Tc 110W Tc Through Hole I-PAK


得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A IPAK


贸泽:
MOSFET N-Ch, 55V-6.5Mohms 80A


艾睿:
In addition to amplifying electronic signals, you&s;ll be able to switch between various lines with the STU60N55F3 power MOSFET, developed by STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 110000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device utilizes stripfet iii technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 80A IPAK


STU60N55F3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.0065 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 110 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

连续漏极电流Ids 32.0 A

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 2200pF @25VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 11.5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 2.4 mm

高度 6.2 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STU60N55F3
型号: STU60N55F3
描述:N沟道55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO- 220 / FP的STripFET TM功率MOSFET N-channel 55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO-220/FP STripFET TM Power MOSFET
替代型号STU60N55F3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STU60N55F3

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

STP60N55F3

意法半导体

功能相似

STU60N55F3和STP60N55F3的区别

STB80NF55-08-1

意法半导体

功能相似

STU60N55F3和STB80NF55-08-1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台