2N3506和JANTX2N3506

对比图

型号 2N3506 JANTX2N3506 2N3506L

描述 NPN型中功率硅晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTORTO-39 NPN 40V 3ANPN型中功率硅晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-39 TO-39-3 TO-5

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW

耗散功率 1 W 1 W -

极性 - NPN -

击穿电压(集电极-发射极) - 40 V -

集电极最大允许电流 - 3A -

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @1.5A, 2V -

最大电流放大倍数(hFE) - 200 -

额定功率(Max) - 1 W -

封装 TO-39 TO-39-3 TO-5

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bag Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - -

ECCN代码 - EAR99 -