IRLML6244TRPBF和MGSF2N02ELT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLML6244TRPBF MGSF2N02ELT1G NTR4501NT1G

描述 INFINEON  IRLML6244TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 20 V, 21 mohm, 4.5 V, 0.9 VON SEMICONDUCTOR  MGSF2N02ELT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 20 V, 0.078 ohm, 4.5 V, 1 VON SEMICONDUCTOR  NTR4501NT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 20 V, 80 mohm, 4.5 V, 1.2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - 20.0 V 20.0 V

额定电流 - 2.80 A 3.20 A

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 21 mΩ 0.078 Ω 0.08 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.3 W 1.25 W 1.25 W

阈值电压 900 mV 1 V 1.2 V

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 - 20.0 V 20.0 V

栅源击穿电压 - ±8.00 V ±12.0 V

连续漏极电流(Ids) 6.3A 2.80 A 3.20 A

上升时间 7.5 ns 95 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 700pF @16V(Vds) 150pF @5V(Vds) 200pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 1.25 W 1.25 W

下降时间 12 ns 125 ns 3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.3W (Ta) 1.25W (Ta) 1.25 W

额定功率 1.3 W - 1.25 W

无卤素状态 - - Halogen Free

长度 3.04 mm 3.04 mm 2.9 mm

宽度 1.4 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 1.02 mm 1.01 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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