MGSF2N02ELT1G

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MGSF2N02ELT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  MGSF2N02ELT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 20 V, 0.078 ohm, 4.5 V, 1 V

N 通道功率 MOSFET,20V,


得捷:
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3


欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MGSF2N02ELT1G, 2.8 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装


立创商城:
MGSF2N02ELT1G


贸泽:
MOSFET NFET SOT23 20V 2.8A 85mOhm


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 V, 2.8 A, 0.078 ohm, SOT-23, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
MGSF2N02ELT1G N-channel MOSFET Transistor, 2.8 A, 20 V, 3-Pin SOT-23


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.8A; 1.25W; SOT23-6


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MGSF2N02ELT1G  MOSFET Transistor, N Channel, 2.8 A, 20 V, 0.078 ohm, 4.5 V, 500 mV


力源芯城:
2.8A,20V,SOT-223-3,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT-23


MGSF2N02ELT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 2.80 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.078 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.25 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids 2.80 A

上升时间 95 ns

输入电容Ciss 150pF @5VVds

额定功率Max 1.25 W

下降时间 125 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.25W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 工业, Industrial, 便携式器材, Consumer Electronics, Portable Devices, 计算机和计算机周边, Computers & Computer Peripherals, 电源管理, 消费电子产品

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MGSF2N02ELT1G引脚图与封装图
MGSF2N02ELT1G引脚图
MGSF2N02ELT1G封装焊盘图
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型号: MGSF2N02ELT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MGSF2N02ELT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 20 V, 0.078 ohm, 4.5 V, 1 V
替代型号MGSF2N02ELT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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