ON SEMICONDUCTOR MGSF2N02ELT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 20 V, 0.078 ohm, 4.5 V, 1 V
N 通道功率 MOSFET,20V,
得捷:
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MGSF2N02ELT1G, 2.8 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
立创商城:
MGSF2N02ELT1G
贸泽:
MOSFET NFET SOT23 20V 2.8A 85mOhm
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 V, 2.8 A, 0.078 ohm, SOT-23, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Allied Electronics:
MGSF2N02ELT1G N-channel MOSFET Transistor, 2.8 A, 20 V, 3-Pin SOT-23
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.8A; 1.25W; SOT23-6
Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MGSF2N02ELT1G MOSFET Transistor, N Channel, 2.8 A, 20 V, 0.078 ohm, 4.5 V, 500 mV
力源芯城:
2.8A,20V,SOT-223-3,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT-23
额定电压DC 20.0 V
额定电流 2.80 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.078 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.25 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 2.80 A
上升时间 95 ns
输入电容Ciss 150pF @5VVds
额定功率Max 1.25 W
下降时间 125 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.25W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.01 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 工业, Industrial, 便携式器材, Consumer Electronics, Portable Devices, 计算机和计算机周边, Computers & Computer Peripherals, 电源管理, 消费电子产品
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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