对比图
型号 MRF8S21100HSR3 MRF8S21120HSR3 MRF8S21100HR3
描述 RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 100W, Typ Gain in dB is 18.3 @ 2170MHz, 28V, LDMOS, SOT1793RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 107W, Typ Gain in dB is 17.6 @ 2170MHz, 28V, LDMOS, SOT1793Single W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170MHz, 24W Avg., 28V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管晶体管晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 NI-780S NI-780S NI-780H-2L
频率 2.17 GHz 2.17 GHz 2.17 GHz
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free
输出功率 24 W 28 W 24 W
增益 18.3 dB 17.6 dB 18.3 dB
测试电流 700 mA 850 mA 700 mA
工作温度(Max) 225 ℃ 150 ℃ 225 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃
额定电压 65 V 65 V 65 V
电源电压 28 V 28 V -
封装 NI-780S NI-780S NI-780H-2L
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
重量 4763.0 mg - -
工作温度 -65℃ ~ 225℃ - -