对比图
型号 CSD17577Q5A CSD17581Q5A CSD17577Q5AT
描述 30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、5.8mΩ 8-VSONP -55 to 150CSD17581Q5A 30V N 沟道 NexFET™ MOSFETTEXAS INSTRUMENTS CSD17577Q5AT 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0035 ohm, 10 V, 1.4 V
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 VSONP-8 VSONP-8 VSONP-8
针脚数 - - 8
漏源极电阻 - 3.5 mΩ 0.0035 Ω
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 3 W 83 W 53 W
阈值电压 - 1 V 1.4 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 60A 60A 60A
上升时间 12 ns 21 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 2310pF @15V(Vds) 3640pF @15V(Vds) 1780pF @15V(Vds)
下降时间 2 ns 10 ns 2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 3W (Ta), 53W (Tc) 3.1W (Ta), 83W (Tc) 3W (Ta), 53W (Tc)
通道数 1 1 -
漏源击穿电压 - 30 V -
长度 - 6 mm 5.8 mm
宽度 - 4.9 mm 5 mm
高度 - 1 mm 0.76 mm
封装 VSONP-8 VSONP-8 VSONP-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 155℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 正在供货 正在供货 Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 -