对比图
型号 PSMN102-200Y PSMN102-200Y,115
描述 N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FETLFPAK N-CH 200V 21.5A
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 5
封装 LFPAK SOT-669-4
通道数 - 1
极性 N-CH N-CH
耗散功率 - 113000 mW
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 21.5A 21.5A
上升时间 - 29.5 ns
输入电容(Ciss) - 1568pF @30V(Vds)
额定功率(Max) - 113 W
下降时间 - 28 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 113W (Tc)
宽度 - 4.1 mm
高度 - 1.1 mm
封装 LFPAK SOT-669-4
材质 - Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free