71V416S12BEI和71V416S12BEI8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V416S12BEI 71V416S12BEI8 CY7C1041DV33-10BVI

描述 静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器IC SRAM 4Mbit 12NS 48CABGA异步静态 RAM 存储器,Cypress Semiconductor### SRAM(静态随机存取存储器)

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48 48

封装 CABGA-48 TFBGA-48 VFBGA-48

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

频率 - - 100 MHz

时钟频率 - - 100 MHz

位数 - - 16

存取时间 12 ns - 10 ns

存取时间(Max) 12 ns - 10 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

电源电压(Max) 3.6 V - 3.6 V

电源电压(Min) 3 V - 3 V

供电电流 180 mA - -

长度 9 mm 9.00 mm 8 mm

宽度 9 mm 9.00 mm 6 mm

封装 CABGA-48 TFBGA-48 VFBGA-48

厚度 1.20 mm 1.20 mm -

高度 1.2 mm - 0.21 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead

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