对比图
型号 STF57N65M5 TK39A60W FMD40-06KC
描述 N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。TO-220SIS N-CH 600V 38.8ATrans MOSFET N-CH 600V 38A 5Pin(5+Tab) ISOPLUS I4-PAC
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole - Through Hole
引脚数 3 - -
封装 TO-220-3 SC-67 ISOPLUS-i4-PAK-5
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.056 Ω - 60 mΩ
极性 N-CH N-CH -
耗散功率 40 W - -
阈值电压 4 V - 3.9 V
漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 42A 38.8A -
上升时间 15 ns - 30 ns
输入电容(Ciss) 4200pF @100V(Vds) - -
额定功率(Max) 40 W - -
下降时间 19 ns - 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 40W (Tc) - -
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 600 V
长度 10.4 mm - 19.91 mm
宽度 4.6 mm - 5.03 mm
高度 16.4 mm - 20.88 mm
封装 TO-220-3 SC-67 ISOPLUS-i4-PAK-5
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free