IRF9410PBF和IRF9410TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF9410PBF IRF9410TR SI4128DY-T1-GE3

描述 INFINEON  IRF9410PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 30 V, 30 mohm, 10 V, 1 VSOIC N-CH 30V 7AN 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 8 - 8

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5W (Ta) 5 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 7A 7A -

输入电容(Ciss) 550pF @25V(Vds) 550pF @25V(Vds) 435pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.4 W

额定功率 2.5 W - -

通道数 1 - -

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.03 Ω - 0.02 Ω

阈值电压 1 V - 1 V

漏源击穿电压 30 V - -

上升时间 8.3 ns - -

额定功率(Max) 2.5 W - -

下降时间 17 ns - 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

输入电容 - - 435pF @15V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - 5 mm

宽度 4 mm - 4 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete -

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

REACH SVHC标准 - - No SVHC

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