对比图
型号 FQB19N20 IRF640NSTRRPBF BUZ31
描述 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETD2PAK N-CH 200V 18ASIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 D2PAK TO-263-3 TO-220-3
通道数 - 1 -
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 - 150 W 95 W
阈值电压 - 2V ~ 4V 3 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 19.4A 18A 14.5 A
上升时间 - 19 ns 50 ns
输入电容(Ciss) - 1160pF @25V(Vds) 1120pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 150 W -
下降时间 - 5.5 ns 60 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 150W (Tc) 95W (Tc)
额定电压(DC) - - 200 V
额定电流 - - 14.5 A
漏源极电阻 - - 200 mΩ
输入电容 - - 1.12 nF
宽度 - 6.22 mm -
封装 D2PAK TO-263-3 TO-220-3
材质 - Silicon -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2014/12/17