对比图
型号 CY7C1165KV18-400BZC CY7C1165KV18-400BZXC CY7C1145KV18-400BZXC
描述 18 - Mbit的QDR ？ II + SRAM四字突发架构（ 2.5周期读延迟） 18-Mbit QDR? II+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)18 - Mbit的QDR ？ II + SRAM四字突发架构（ 2.5周期读延迟） 18-Mbit QDR? II+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)18兆位QDR® II SRAM四字突发架构（ 2.0周期读延迟） 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
位数 36 36 36
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
时钟频率 - - 400 MHz
存取时间 - 0.45 ns 0.45 ns
电源电压(Max) - 1.9 V 1.9 V
电源电压(Min) - 1.7 V 1.7 V
高度 0.89 mm - -
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅
ECCN代码 - - 3A991.b.2.a