FDB7042L和FDB8896

对比图

型号 FDB7042L FDB8896 FDB8896_NL

描述 N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETN 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。30V N-Channel PowerTrench MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

封装 TO-263 TO-263-3 D2PAK

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

漏源极电阻 9.00 mΩ 4.9 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 83.0 W 80 W -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -

栅源击穿电压 ±12.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 50.0 A 93.0 A 19A

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 93.0 A -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 2.5 V -

输入电容 - 2.62 nF -

栅电荷 - 48.0 nC -

上升时间 - 102 ns -

输入电容(Ciss) - 2525pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) - 80 W -

下降时间 - 44 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 80W (Tc) -

封装 TO-263 TO-263-3 D2PAK

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.7 mm -

高度 - 4.83 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -