对比图
描述 HITFET™ 智能低侧电源开关，InfineonHITFET™ 汽车智能低电压端开关系列内置 ESD、过温、短路和过载状况保护。 HITFET 系列具有高达 480 毫欧的开关接通电阻，且可标出 RDSon。诊断或闩锁和重启保护 易于嵌入式更换 ### 电源和负载开关，Toshiba集成高侧和低侧智能电源开关电路包含很多功能性和保护特征，如过电流、过电压、短路、断路负载、过温度和电源逆转。 这些高度集成设备利用低接通电阻 MOSFET 晶体管，以最小化功耗并保持高效率。“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 负载控制器开关电源
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 PG-DSO-8 SOIC
通道数 - 2
漏源极电阻 - 250 mΩ
极性 - N-Channel
耗散功率 0.8 W 4 W
阈值电压 - 2.5 V
漏源极电压(Vds) - 55 V
漏源击穿电压 - 40.0 V
连续漏极电流(Ids) - 1.70 A
钳位电压 - 45 V
额定功率 0.8 W -
输出接口数 2 -
输入电压(DC) 10.0 V -
输出电流 1.3 A -
供电电流 2 mA -
针脚数 8 -
输出电流(Max) 1.3 A -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -40 ℃ -
电源电压 2.2V ~ 10V -
输入电压 10 V -
封装 PG-DSO-8 SOIC
长度 5 mm -
宽度 4 mm -
高度 1.45 mm -
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99
工作温度 -40℃ ~ 150℃ -