2N7002LT1G和SI2304-TP

对比图

型号 2N7002LT1G SI2304-TP 2N7002TA

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N7002LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 VN沟道 30V 2.5ADIODES INC.  2N7002TA  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Micro Commercial Components (美微科) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 200 mW 250mW (Ta) 330 mW

漏源极电压(Vds) 60 V 30 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 115 mA 2.5A 115 mA

上升时间 - 12 ns -

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 240pF @15V(Vds) 50pF @25V(Vds)

下降时间 - 8 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 225mW (Ta) 250mW (Ta) 330mW (Ta)

额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V

额定电流 115 mA - 115 mA

额定功率 0.225 W - -

无卤素状态 Halogen Free - -

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 7.5 Ω - 7.5 Ω

阈值电压 2.5 V - 2.5 V

漏源击穿电压 60 V - 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±40.0 V

正向电压(Max) 1.5 V - -

额定功率(Max) 225 mW - 330 mW

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 2.9 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 0.94 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99