DTA143EM3T5G和DTA143EUAFRAT106

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTA143EM3T5G DTA143EUAFRAT106 DTA143ZM3T5G

描述 数字晶体管( BRT ) PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors (BRT) PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor NetworkROHM  DTA143EUAFRAT106  晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-323PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-723-3 SOT-323 SOT-723-3

额定电压(DC) -50.0 V - -50.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 0.6 W - 0.6 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 15 - 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 15 - 80

额定功率(Max) 260 mW - 260 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 600 mW - 600 mW

长度 1.2 mm - 1.25 mm

宽度 0.8 mm - 0.85 mm

高度 0.5 mm - 0.55 mm

封装 SOT-723-3 SOT-323 SOT-723-3

产品生命周期 Active Not Recommended Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

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